2026-03-10T09:38:27Z https://ehime-u.repo.nii.ac.jp/oai

oai:ehime-u.repo.nii.ac.jp:00001250 2023-10-13T00:41:03Z 324:334

プロトン・ヘリウム照射によるパワー半導体用Siウエハーの照射欠陥の観察 Studies on Local Defects in Si wafer Introduced by 3He and Proton Irradiation Used for Power Device 冨吉, 昇一 藤家, 久定 天野, 聡 原田, 那仁 白方, 祥 西原, 善明 departmental bulletin paper 2006-03 VoR application/pdf 工学ジャーナル = Annual journal of engineering, Ehime University 5 56 64 AA12158096 1348-9895 https://ehime-u.repo.nii.ac.jp/record/1250/files/AA12158096_2006_05-06.pdf https://ehime-u.repo.nii.ac.jp/records/1250 jpn