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GaAsBi半導体ヘテロ構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長と特性評価
https://ehime-u.repo.nii.ac.jp/records/794
https://ehime-u.repo.nii.ac.jp/records/7942badae1b-67f2-4882-abbc-b161bb35e68e
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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sciengA528outline.pdf (210.9 kB)
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sciengA528result.pdf (466.0 kB)
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sciengA528fulltext.pdf (4.2 MB)
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Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||
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公開日 | 2023-07-18 | |||||||||
タイトル | ||||||||||
タイトル | GaAsBi半導体ヘテロ構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長と特性評価 | |||||||||
言語 | ja | |||||||||
言語 | ||||||||||
言語 | jpn | |||||||||
資源タイプ | ||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
アクセス権 | ||||||||||
アクセス権 | open access | |||||||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
著者 |
松田, 晃賢
× 松田, 晃賢
× MATSUDA, Teruyoshi
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学位名 | ||||||||||
学位名 | 博士(工学) | |||||||||
学位授与機関 | ||||||||||
学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
学位授与機関識別子 | 16301 | |||||||||
学位授与機関名 | Ehime University (愛媛大学) | |||||||||
学位授与年月日 | ||||||||||
学位授与年月日 | 2021-09-23 | |||||||||
学位授与番号 | ||||||||||
学位授与番号 | 甲理工第528号 | |||||||||
著者版フラグ | ||||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |